STP35N65DM2

STP35N65DM2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh DM2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的卓越平衡，这一特性对于提升开关电源的效率和功率密度至关重要。其核心在于通过创新的单元结构和工艺优化，显著降低了传导损耗和开关损耗，使得器件能够在高频开关应用中保持优异的热性能和可靠性。

该MOSFET的突出功能特性体现在其650V的漏源击穿电压（Vdss）和32A的连续漏极电流（Id）能力上，这为其在高压、大电流场景下的稳定运行提供了坚实基础。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值仅为110毫欧（@16A），有效降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在56.3nC，结合2540pF的输入电容（Ciss），意味着所需的驱动能量较低，有助于简化驱动电路设计并进一步提升开关速度，减少开关过程中的损耗。其栅源电压（Vgs）可承受±25V的范围，提供了良好的抗干扰能力。

在电气参数方面，该器件设计稳健，最大功率耗散可达250W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的应用可靠性。其采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，便于安装在散热器上以管理热耗散。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于其高性能参数，STP35N65DM2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动和变频器、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等。在这些应用中，其低损耗特性有助于提升系统整体能效，满足日益严格的能效标准，而其高耐压和宽温度范围则保证了系统长期运行的稳定性。

• 型号:STP35N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2540 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP35N65DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用TO-220封装，核心电气参数包括650V的漏源电压（Vdss）和32A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势在于实现了低导通损耗与低开关损耗的优化组合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为110毫欧，同时栅极电荷（Qg）被控制在56.3nC以内。这一特性使得它在开关电源等应用中能够显著提升效率与功率密度。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了在各种环境条件下的可靠运行。