STL10LN80K5

作为ST意法半导体MDmesh K5系列中的一员，STL10LN80K5是一款采用先进超结技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和独特的垂直沟槽工艺，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。该器件采用了专为高压应用优化的MDmesh K5技术平台，通过降低栅极电荷和输出电容，显著提升了开关性能，从而在硬开关和软开关拓扑中都能实现高效率。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其800V的漏源击穿电压使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和开关尖峰，提供充足的设计裕量。在导通特性方面，10V驱动电压下，660毫欧的最大导通电阻（在4A条件下测得）有效降低了导通损耗，提升了系统整体能效。同时，其极低的栅极电荷（典型值15nC @ 10V）和输入电容减少了驱动电路的负担，允许使用更小、更经济的栅极驱动器，并有助于实现更高频率的开关操作，从而缩小磁性元件的尺寸。

在接口与参数方面，STL10LN80K5采用表面贴装型PowerFlat VHV封装，其紧凑的5x6mm外形尺寸在节省PCB空间的同时，通过裸露的焊盘提供了出色的散热性能，确保在高达150°C的结温下实现42W的功率耗散能力。其栅源电压耐受范围为±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是确保产品正品性和获取完整设计资源的有效途径。

凭借其高压、低损耗和高开关频率的潜力，这款器件非常适合应用于要求严苛的功率转换场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主逆变桥、工业电机驱动的辅助电源、LED照明驱动以及太阳能微型逆变器等。在这些应用中，它能够帮助设计工程师实现更高的功率密度、更优的能效等级以及更可靠的系统运行。

• 型号:STL10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:660 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL10LN80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件设计用于高压、高效率的功率开关应用，其核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。

其技术优势体现在优化的动态特性上，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）仅为660毫欧（@4A），结合低至15nC的栅极电荷（Qg），有效平衡了导通损耗与开关损耗。该MOSFET采用节省空间的PowerFlat VHV表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于追求高功率密度和高可靠性的紧凑型电源设计。