STL10N60M2

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL10N60M2是一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和工艺技术，在单位芯片面积内实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。这种核心架构旨在显著降低开关损耗和传导损耗，尤其适用于高频开关应用，有助于提升整体电源系统的能效与功率密度。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其额定漏源电压（Vdss）高达600V，确保了在离线式电源等高压环境下的可靠阻断能力。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达5.5A，提供了可观的电流处理能力。一个关键的性能指标是其低导通电阻，在10V栅源驱动电压、2.5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为660毫欧，这直接转化为更低的导通损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在13.5nC（@10V），结合400pF（@100V）的典型输入电容，意味着所需的驱动能量更小，有利于实现快速开关并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与封装方面，STL10N60M2采用表面贴装型的PowerFlat（5x6）HV封装。这种封装具有极低的热阻和寄生电感，不仅优化了散热性能，允许器件在高达150°C的结温（TJ）下工作，最大功耗为48W（Tc），而且其紧凑的占板面积非常适合于空间受限的现代电子设备。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了宽裕的安全设计余量。用户可以通过正规的ST代理商获取该器件的完整技术资料与供应支持。

基于其高压、低损耗和快速开关的特性，STL10N60M2非常适合应用于需要高效电能转换的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动的辅助电源以及UPS（不间断电源）系统中的功率变换级。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的技术思路仍在后续系列产品中得到延续和发展。

• 型号:STL10N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:660 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL10N60M2是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh II Plus技术。该器件额定电压为600V，连续漏极电流达5.5A，专为高效功率转换而设计。

其核心优势在于优异的动态性能与低损耗特性。在10V驱动下，导通电阻最大值仅为660毫欧，同时栅极电荷被优化至13.5nC，这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗。器件采用热性能卓越的PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达150°C的结温，适用于高功率密度设计。