STL110N10F7

STL110N10F7是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET VII产品系列，并采用了DeepGATE技术。该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，专为高功率密度和高效率应用而设计，其紧凑的封装形式特别适合空间受限的现代电子设备。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在10V驱动电压和10A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为6毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在72nC @ 10V，较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化了栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更迅速。

在电气参数方面，STL110N10F7具备100V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在多种应用中的可靠工作电压裕量。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下高达107A，展现出强大的电流处理能力。器件的栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了宽裕的驱动安全范围。其阈值电压（Vgs(th)）最大值在250A漏极电流下为4.5V，属于标准逻辑电平驱动，便于与主流控制器直接接口。此外，其结温（TJ）工作范围宽达-55°C至175°C，结合136W（Tc）的最大功率耗散能力，保证了其在严苛环境下的稳定性和鲁棒性。如需获取官方技术支持和样品，可以联系授权的ST代理。

凭借这些综合特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的领域。其主要应用场景包括服务器和电信设备的DC-DC转换器、高效率开关电源（SMPS）、电机驱动与控制、电池管理系统（BMS）以及各类工业自动化设备中的功率开关模块。在这些应用中，它能够有效降低系统热损耗，提升功率密度，并最终实现更小体积、更高可靠性的电源解决方案。

• 型号:STL110N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):107A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5117 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL110N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VII技术和PowerFlat（5x6）表面贴装封装。其核心卖点在于极低的导通电阻（6mΩ @ 10A, 10V）和较低的栅极电荷（72nC @ 10V），这共同实现了卓越的功率转换效率与快速的开关性能。

该器件额定参数为100V漏源电压和107A连续漏极电流（Tc），具备强大的功率处理能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和136W（Tc）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的高可靠性，是高功率密度设计的理想选择。