STU5N60M2

STU5N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh II Plus技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用垂直结构设计，通过优化的单元布局和创新的工艺技术，在硅片层面实现了低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的出色平衡。这种核心架构旨在显著降低传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换应用提供了坚实的物理基础，其通孔IPAK（TO-251）封装也确保了良好的机械强度和散热能力。

得益于MDmesh II Plus技术，该MOSFET展现出卓越的性能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，使其在离线式开关电源（SMPS）等应用中能可靠应对线路浪涌。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3.7A，而导通电阻在10V驱动电压、1.85A电流下典型值仅为1.4欧姆，这直接转化为更低的导通压降和热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值低至4.5nC（@10V），结合165pF（@100V）的输入电容，意味着驱动电路所需的开关能量更小，有助于提升开关频率并简化栅极驱动设计，从而优化系统整体效率。

在电气参数方面，该器件设计稳健，栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，增强了驱动级的可靠性。其阈值电压（Vgs(th)）最大为4V（@250A），提供了良好的噪声抑制能力。最大结温（Tj）高达150°C，配合45W（Tc）的功率耗散能力，使其能在严苛的热环境下稳定工作。对于需要可靠供应链和全面技术支持的客户，通过授权的ST一级代理进行采购是保障产品正宗与供货稳定的重要途径。

综合其高耐压、低损耗及快速开关特性，STU5N60M2非常适用于要求高效率和高可靠性的功率电子领域。典型应用包括消费类电子和工业电源的功率因数校正（PFC）电路、反激式转换器、照明镇流器以及电机驱动辅助电源等。在这些场景中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，并有助于实现更紧凑、更经济的电源解决方案设计。

• 型号:STU5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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STU5N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh II Plus产品系列。该器件采用TO-251（IPAK）通孔封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与3.7A连续漏极电流（Id），为离线电源应用提供了坚实的电压与电流基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.4欧姆，有助于最小化传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值4.5nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度与低开关损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、PFC电路及照明驱动等高效能转换设计的理想选择。