STL12N10F7

STL12N10F7是ST意法半导体基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，通过精细的单元设计和制造工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）的优异平衡。这种核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，为高效率功率转换应用提供了坚实的物理基础。

得益于其技术特性，该MOSFET展现出卓越的性能。其最大导通电阻仅为13.3毫欧（条件为V_GS=10V， I_D=6A），确保了在导通状态下极低的功率耗散。同时，栅极电荷（Q_G）典型值低至30nC，这显著降低了驱动电路的负担和开关过程中的能量损失，有利于提升系统在高频工作下的整体效率。器件采用紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）封装，具有优异的热性能和低寄生电感，非常适合高功率密度设计。

在电气参数方面，STL12N10F7的漏源击穿电压（V_DSS）为100V，在壳温（T_C）25°C条件下的连续漏极电流（I_D）高达44A，最大功耗为52W。其栅源驱动电压（V_GS）标准为10V，阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，兼容常见的逻辑电平或标准驱动IC。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和±20V的栅源电压耐受能力，为其在苛刻环境下的稳定运行提供了保障。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关服务。

综合其高电压、大电流、低损耗及小型化封装的特点，STL12N10F7主要面向对效率和空间有严苛要求的现代功率电子系统。其典型应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC电源模块、电机驱动与控制系统（如电动工具、无人机电调）、高效同步整流电路以及各类工业级开关电源。在这些领域中，它能够有效提升能源利用率，减小系统体积与热设计难度。

• 型号:STL12N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 44A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.3 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1820 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL12N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在100V的漏源电压（V_DSS）规格下，实现了低至13.3毫欧的导通电阻（R_DS(on)）和仅30nC的栅极电荷（Q_G），这使其在传导损耗和开关损耗方面均表现优异。

其额定连续漏极电流（I_D）高达44A（T_C=25°C），采用热增强型的表面贴装PowerFlat封装，确保了出色的电流处理能力和散热性能。这些核心参数使其成为构建高效率、高功率密度电源解决方案的理想选择，尤其适用于同步整流、电机驱动和各类工业级开关电源应用。