STL135N8F7AG

STL135N8F7AG是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F7技术平台，面向严苛汽车电子应用而开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构与沟槽栅设计，在紧凑的PowerFlat（5x6）封装内实现了优异的电气性能与热管理能力，其设计严格遵循AEC-Q101标准，确保了在汽车环境下的高可靠性与长寿命。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通损耗与出色的开关性能。其最大导通电阻（R_DS(on)）在10V栅极驱动电压下仅为3.6毫欧（典型值），这一特性对于降低系统功耗、提升整体效率至关重要。同时，其栅极总电荷（Q_g）典型值控制在103nC，结合优化的内部结构，有效减少了开关过程中的能量损失，使得器件在高频开关应用中也能保持高效与低温升。其高达130A（T_C=25°C）的连续漏极电流承载能力和80V的漏源击穿电压（V_DSS），为设计提供了充裕的功率裕量。

在接口与参数方面，STL135N8F7AG的栅极驱动电压（V_GS）标准为10V，阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，与常见的控制器兼容性好。其V_GS最大耐受范围为±20V，增强了抗栅极噪声干扰的能力。器件的热性能表现突出，最大结温（T_J）高达175°C，在提供135W（T_C）强大散热能力的同时，其表面贴装型PowerFlat封装也优化了PCB布局的热扩散路径。这些参数共同构成了一个高效、坚固的功率开关解决方案。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高可靠性、高效率和高功率密度，STL135N8F7AG非常适用于对空间和性能要求极高的汽车电子系统。其主要应用场景包括电动助力转向（EPS）系统、48V轻度混合动力（MHEV）的DC-DC转换器与电机驱动、先进的电池管理系统（BMS）中的负载开关，以及传统燃油车的发动机管理模块和智能接线盒等。在这些应用中，它能够有效提升能效，减少热量产生，并确保系统在-55°C至175°C的宽温度范围内稳定工作。

• 型号:STL135N8F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:103 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），135W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL135N8F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，隶属于Automotive STripFET F7产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，在紧凑的PowerFlat（5x6）表面贴装封装内，提供了80V的漏源电压（Vdss）和高达130A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

其核心电气特性表现为极低的导通电阻，最大值仅为3.6毫欧（@10V，13A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大值103nC @10V）确保了高效的开关性能。器件支持-55°C至175°C（TJ）的宽工作温度范围，并具备强大的功率耗散能力（135W，Tc），专为要求高可靠性、高效率和高功率密度的汽车动力总成与电源管理系统设计。