STL17N65M5

STL17N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心架构通过创新的单元布局和栅极设计，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这对于提升开关频率和降低开关损耗至关重要，尤其适用于高频开关电源应用。

该MOSFET具备650V的高漏源击穿电压（Vdss），确保了在离线式电源等高压环境下的可靠运行。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、5.5A电流条件下典型值仅为374毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，极低的栅极电荷（典型值22nC @ 10V）和输入电容（Ciss）使得驱动电路的设计更为简化，能够实现快速开关，减少开关过程中的能量损失。其工作结温高达150°C，结合PowerFlat HV封装优异的散热性能，提供了强大的热管理能力，功率耗散在壳温（Tc）条件下可达70W。

在接口与参数方面，该器件采用表面贴装型PowerFlat（8x8）HV封装，这种紧凑的封装形式不仅节省了PCB空间，其裸露的焊盘设计也极大地优化了热传导路径。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压（Vgs）可承受±25V，增强了抗干扰能力。电流处理能力方面，在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为1.8A，而在通过封装有效散热后（Tc条件下），电流能力可显著提升至10A，这突显了其封装在散热设计中的价值。对于需要可靠元器件供应的设计者，可以通过授权的ST代理商获取详细的技术支持与供应链服务。

得益于其高耐压、低损耗和高开关频率的特性，STL17N65M5非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、LED照明驱动、工业电源以及家用电器中的辅助电源。其快速开关能力和良好的热性能使其成为构建紧凑、高效能电源解决方案的关键元件，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍对理解同类高压MOSFET的选型具有重要参考价值。

• 型号:STL17N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Ta），10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:374 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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STL17N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用先进的垂直结构技术，核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至374毫欧（@5.5A，10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，旨在显著降低功率转换应用中的传导损耗。

其技术参数针对高效率开关进行了优化，具备极低的栅极电荷（典型值22nC）和输入电容，这有助于实现快速开关并减少驱动损耗。器件采用散热性能优异的PowerFlat HV表面贴装封装，在壳温（Tc）条件下可支持高达70W的功率耗散和10A的连续漏极电流，确保了在高功率密度设计中的可靠运行与热稳定性。