STL180N6F7

意法半导体推出的STL180N6F7是一款基于先进STripFET F7技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和创新的沟槽栅工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻与优异的开关性能平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、16A漏极电流条件下典型值低至2.4毫欧，这一特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，器件拥有出色的电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）高达120A，在环境温度（Ta）下为32A，使其能够胜任大电流开关任务。其栅极电荷（Qg）最大值仅为79.5nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速开关并降低驱动电路的设计复杂度与损耗。

在物理封装与可靠性方面，STL180N6F7采用了表面贴装型的PowerFlat（5x6）封装。这种封装具有极低的热阻和紧凑的占板面积，其裸露的焊盘设计极大地优化了散热路径，使得最大功率耗散在壳温条件下可达166W，确保了在高功率密度应用中的稳定运行。器件支持±20V的宽栅源电压范围，并能在-55°C至175°C的宽结温（TJ）范围内工作，展现了强大的环境适应性。对于需要稳定供货与技术支持的项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是可靠的渠道。

综合其高电压、大电流、低损耗及优异的散热特性，STL180N6F7非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的现代电力电子系统。其典型应用场景包括同步整流、电机驱动、DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑）、电池保护电路以及各类工业电源中的功率开关部分。该器件是设计工程师在构建高效、紧凑型电源解决方案时的理想功率开关选择。

• 型号:STL180N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 32A/120A PWRFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Ta），120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:79.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4825 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），166W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL180N6F7是ST意法半导体STripFET F7系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅技术制造。该器件额定漏源电压为60V，在壳温条件下可连续通过高达120A的电流，其关键优势在于极低的导通电阻（典型值2.4mΩ @ 10V, 16A），能显著降低传导损耗。

它采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，支持高达166W（Tc）的功率耗散，并具备-55°C至175°C的宽工作结温范围。低栅极电荷（79.5nC @ 10V）确保了快速的开关速度，适用于高频开关应用。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效率DC-DC转换器等应用的理想选择。