STPSC4H065B-TR

STPSC4H065B-TR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用碳化硅（SiC）材料制造的肖特基势垒二极管。该器件基于宽禁带半导体技术，其核心架构利用碳化硅材料优异的物理特性，从根本上克服了传统硅基快恢复二极管在开关损耗和反向恢复电荷方面的固有限制。这种材料特性使得器件能够在高温、高压和高频条件下稳定工作，为功率电子系统提供了更高效率的解决方案。

该二极管最显著的功能特点是其零反向恢复时间（0 ns）。由于肖特基整流机制不涉及少数载流子的注入与复合，因此从根本上消除了传统PN结二极管在关断时因少数载流子存储效应而产生的反向恢复电流和相关的开关损耗。这一特性对于提升开关电源、逆变器等电路的效率至关重要，尤其是在高频工作条件下，可以显著降低开关损耗和电磁干扰（EMI）。同时，器件在650V反向电压下的反向漏电流典型值仅为40A，展现了碳化硅肖特基二极管优异的高温阻断能力。

在电气参数方面，STPSC4H065B-TR具有650V的最大直流反向耐压（Vr）和4A的平均正向整流电流（Io）。其正向压降（Vf）在4A电流下典型值为1.75V，提供了良好的导通特性。器件的结电容在0V偏压和1MHz测试条件下为200pF，较低的电容值有助于进一步提升高频开关性能。该器件采用表面贴装形式的DPAK（TO-252-3）封装，具有良好的散热性能和便于自动化生产的封装工艺，如需批量采购或技术支持，可以联系专业的ST芯片代理。

基于其高性能特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。主要应用领域包括服务器和通信设备的开关模式电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）电路、太阳能光伏逆变器中的升压或续流二极管、不间断电源（UPS）以及工业电机驱动中的高频整流环节。在这些应用中，其零反向恢复和高温稳定性优势得以充分发挥，有助于实现系统整体效率的提升、散热设计的简化以及功率密度的增加。

• 型号:STPSC4H065B-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
• 电流 - 平均整流 (Io):4A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 4 A
• 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):0 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 A @ 650 V
• 不同Vr、F 时电容:200pF @ 0V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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STPSC4H065B-TR是ST意法半导体推出的一款650V、4A碳化硅肖特基二极管，采用DPAK表面贴装封装。该器件利用碳化硅宽禁带材料的优势，实现了零反向恢复时间（0 ns），从根本上消除了开关损耗，特别适用于高频开关应用。

其关键参数包括在4A电流下1.75V的低正向压降，以及在650V高压下仅40A的低反向漏电流，确保了高效导通与可靠阻断。这些特性使其成为提升功率因数校正（PFC）、太阳能逆变器、UPS及服务器电源等系统效率和功率密度的理想选择。