STL190N4F7AG

作为ST意法半导体旗下符合AEC-Q101标准的汽车级产品，STL190N4F7AG是一款采用先进STripFET技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的垂直沟槽设计，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。该器件采用紧凑的PowerFlat（5x6）封装，在提供高功率处理能力的同时，最大限度地减小了PCB占板面积和封装寄生参数，这对于空间受限且对效率要求严苛的现代汽车电子与工业应用至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的功率密度与效率表现。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值低至2毫欧（在17.5A条件下测量），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为41nC，结合优化的内部结构，有效降低了开关损耗，使其在高频开关应用中也能保持优异的热性能。其坚固性体现在高达±20V的栅源电压耐受能力，为栅极驱动设计提供了更宽的容错空间，增强了系统可靠性。

在电气参数方面，STL190N4F7AG具备40V的漏源击穿电压（V_DSS），可稳健应对12V或24V电池系统的电压瞬态。在壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达120A，峰值电流处理能力强劲。其宽广的结温工作范围（-55°C至175°C）确保了其在极端环境下的稳定运行。对于需要本地技术支持和可靠供应链的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取完整的技术资料、样品以及批量采购支持。

凭借其高电流能力、低损耗和汽车级可靠性，此器件非常适合要求苛刻的功率开关应用。典型应用场景包括汽车领域的电机驱动（如电动助力转向、风扇控制）、DC-DC转换器中的同步整流以及电池管理系统（BMS）中的负载开关。在工业领域，它同样适用于电源、电机控制和各类需要高效功率切换的模块中，是工程师在追求高功率密度和高可靠性设计时的优选功率器件。

• 型号:STL190N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:127W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL190N4F7AG的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL190N4F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET技术和紧凑的PowerFlat（5x6）封装。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2mΩ @ 10V）与优化的栅极电荷（最大值41nC），这共同实现了优异的功率转换效率与低开关损耗。

该器件额定参数为40V漏源电压与120A连续漏极电流（T_C），具备宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）和坚固的±20V栅源电压耐受能力。这些特性使其能够可靠地应对汽车电子环境中常见的电压瞬态和温度波动，确保系统长期稳定运行。