STL200N45LF7

STL200N45LF7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，通过精密的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_G）之间的卓越平衡。其核心在于显著降低了单位面积的比导通电阻，这对于提升功率转换效率、降低导通损耗至关重要，尤其在高频开关应用中表现突出。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）为45V，适用于常见的12V、24V及48V中间总线系统。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达120A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻极低，在10V栅源驱动电压（V_GS）和18A漏极电流条件下，典型值仅为1.8毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，其栅极阈值电压（V_GS(th)）典型值为1.2V，并支持高达±20V的栅源电压，确保了与多种驱动电路的兼容性和应用的鲁棒性。

在动态性能方面，ST芯片代理提供的技术资料显示，STL200N45LF7的栅极总电荷（Q_G）在4.5V V_GS下典型值为33nC，结合其5170pF的输入电容（C_iss），共同决定了其快速的开关速度，有助于减少开关损耗，提升系统工作频率。器件采用表面贴装的PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有极低的热阻和优异的散热性能，最大功率耗散可达150W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

凭借其高电流能力、低导通电阻和出色的开关特性，STL200N45LF7非常适合于对效率和功率密度有高要求的应用场景。它广泛应用于服务器和通信设备的同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑）、电机驱动控制以及各类电源管理模块中。其稳健的设计使其成为构建高效、紧凑型功率解决方案的关键元件。

• 制造商产品型号：STL200N45LF7
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F7
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：45V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 18A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5170pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PowerFlat（5x6）
• 想获取STL200N45LF7的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL200N45LF7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件设计用于处理高达120A的连续漏极电流，其漏源电压额定值为45V，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V V_GS下典型值仅为1.8毫欧，能显著降低导通状态下的功率损耗。

器件采用先进的沟槽栅技术，实现了栅极电荷（典型值33nC @ 4.5V）与导通性能的良好折衷，有利于提升开关频率并降低开关损耗。其采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在高功率密度应用中的可靠性和散热能力。