STW70N10F4

STW70N10F4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3通孔封装，专为高效率、高功率密度应用而设计。该器件隶属于STripFET和DeepGATE产品系列，这些技术通过优化单元结构和栅极设计，旨在实现更低的导通电阻与更优的开关性能平衡。其核心架构基于先进的平面MOSFET工艺，通过精细的沟槽设计和单元密度优化，有效降低了单位面积的导通损耗，为系统提供了坚实的功率处理基础。

在功能特性上，该器件展现出卓越的电气性能。其漏源击穿电压（Vdss）为100V，适用于中高电压的开关场景。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（Id）额定值高达65A，具备强大的电流承载能力。尤为关键的是其低导通电阻特性，在10V栅极驱动电压、30A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为19.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷（Qg）最大值控制在85nC（@10V），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

该MOSFET的接口与参数设定充分考虑了工业应用的鲁棒性。其栅源电压（Vgs）最大耐受范围为±20V，提供了安全的驱动裕量。阈值电压Vgs(th)最大值为4V（@250A），确保了良好的噪声免疫能力。输入电容（Ciss）最大值为5800pF（@25V），结合优化的栅极电荷，共同决定了其快速的开关响应速度。器件的最大功率耗散为150W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至175°C，使其能够适应严苛的环境条件。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过ST中国代理获取相关的技术支持和产品信息。

基于其100V/65A的规格和优异的开关特性，STW70N10F4非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制器中的H桥或半桥电路、不间断电源（UPS）的逆变模块，以及工业电焊机、大功率DC-DC转换器等设备中的功率开关部分。其TO-247封装提供了良好的散热路径，便于通过散热器管理热耗散，是构建紧凑型、高性能功率系统的关键元件之一。

• 型号:STW70N10F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 65A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:85 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• 想获取STW70N10F4的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STW70N10F4是ST意法半导体基于STripFET技术开发的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压和高达65A的连续漏极电流承载能力，结合其极低的导通电阻（典型值19.5mΩ @ 10V, 30A），能显著降低功率应用中的传导损耗，提升整体系统效率。

此外，其优化的栅极电荷（最大85nC）和宽泛的工作结温范围（-55°C 至 175°C），确保了器件在高速开关应用中的性能与可靠性，同时适应严苛的环境条件。这些参数特性使其成为中高功率开关电源、电机驱动及各类功率转换电路的理想选择。