STL210N4F7AG

STL210N4F7AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能N沟道功率MOSFET，隶属于通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅极技术，实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心架构优化了单元密度和沟道迁移率，在紧凑的芯片面积内实现了高达120A的连续漏极电流承载能力，同时将导通损耗降至最低，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的显著特性体现在其卓越的电气参数上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至1.6毫欧（@16A），这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为43nC，结合适中的输入电容，确保了快速的开关切换速度，有助于降低开关损耗并允许使用更高频率的PWM控制。器件具备40V的漏源击穿电压（Vdss）和±20V的栅源电压（Vgs）耐受范围，提供了稳健的电压裕量。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并采用热性能优异的PowerFlat（5x6）封装，表面贴装设计便于自动化生产并优化PCB空间利用。

在功能实现上，该器件专为需要高效率和高功率密度的开关应用而设计。极低的Rds(On)和Qg使其成为同步整流、电机驱动（如电动助力转向、水泵/油泵）以及DC-DC转换器（尤其是降压和负载点转换器）中理想的高侧或低侧开关。其AEC-Q101认证确保了在严苛的汽车电子环境下的可靠性与长寿命，适用于发动机舱、电池管理系统及车载充电器等场景。对于需要可靠供应链和技术支持的国内项目，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品并进行深入的技术交流。

• 型号:STL210N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL210N4F7AG是ST意法半导体推出的AEC-Q101车规级N沟道功率MOSFET，采用STripFET F7技术。其核心优势在于极低的功率损耗，表现为在10V驱动下仅1.6毫欧的导通电阻（Rds(On)）和43nC的栅极电荷（Qg），这共同确保了高效率的功率转换与快速的开关性能。

该器件额定参数为40V漏源电压与120A连续漏极电流，采用热增强型PowerFlat表面贴装封装，工作结温高达175°C，专为应对汽车和工业应用中空间受限、散热要求高的高电流开关场景而优化，如电机控制、同步整流及各类DC-DC电源拓扑。