STP110N8F7

STP110N8F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，通过精密的单元设计和制造工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）的出色平衡，从而显著提升了功率转换效率和开关性能。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的导通特性与开关特性。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值低至7.5毫欧（在40A条件下测试），这直接降低了器件在导通状态下的传导损耗，尤其适用于大电流工作环境。同时，其最大栅极电荷（Q_g）仅为46.8nC，结合3435pF的输入电容（C_iss），意味着驱动电路所需的开关能量更低，能够实现更快的开关速度和更高的工作频率，有效降低开关损耗。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了宽裕且安全的驱动电压范围。

在电气参数方面，STP110N8F7具备80V的漏源击穿电压（V_DSS）和高达80A的连续漏极电流（I_D）承载能力（在壳温T_C=25°C条件下）。其阈值电压（V_GS(th)）最大值为4.5V，确保了良好的噪声抑制能力和抗干扰性。器件采用经典的TO-220通孔封装，最大功耗可达170W（T_C），结温工作范围宽达-55°C至175°C，提供了出色的热性能和机械可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电压、大电流和低损耗的特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度要求苛刻的场合。典型应用包括工业领域的电机驱动、伺服控制器和电源开关，汽车电子中的DC-DC转换器和电池管理系统，以及消费电子和计算机系统中的开关电源（SMPS）、同步整流和负载点（POL）转换。它是工程师在设计高效能、高可靠性功率转换与电机控制解决方案时的优选功率开关元件。

• 型号:STP110N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 80A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3435 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP110N8F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括80V的漏源电压（Vdss）和高达80A的连续漏极电流（Id），具备强大的功率处理能力。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V驱动电压下典型值仅为7.5毫欧，能显著降低传导损耗。同时，优化的栅极电荷（最大46.8nC）和输入电容特性确保了高效的开关性能，有助于提升整体系统效率。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）和170W的功率耗散能力，使其能够适应严苛的工业与汽车应用环境。