STL25N15F3

STL25N15F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET III技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，通过精细的单元设计和制造工艺，在单位面积内实现了更低的导通电阻与更优的开关特性平衡。其核心设计目标是在150V的中压应用领域，提供高效率的功率开关解决方案。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达25A，并拥有150V的漏源击穿电压（Vdss），为系统提供了可靠的电压裕量。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，这直接转化为更低的导通损耗，有助于提升整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗和开关延迟，提升高频开关性能。

在接口与参数方面，该器件采用标准的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，便于在空间受限的高功率密度设计中应用。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±20V的栅源电压，增强了驱动电路的鲁棒性。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的ST代理获取相关的技术支持和库存信息。

凭借其性能组合，STL25N15F3非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制电路以及各类工业电源模块。其低导通电阻和良好的开关特性使其成为提升系统效率、减少热设计复杂性的理想选择。

• 型号:STL25N15F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:57 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL25N15F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件设计用于中压功率开关应用，其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。

该MOSFET具备150V的漏源电压（Vdss）和25A的连续漏极电流（Id）能力。关键参数方面，其在10V栅极驱动下呈现出极低的导通电阻，有助于最小化导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了高效的开关速度与较低的驱动损耗。器件采用热增强型表面贴装PowerFlat封装，适用于高功率密度设计。