STL25N60M2-EP

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL25N60M2-EP是一款基于先进的MDmesh M2-EP技术平台开发的高压N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一芯片上实现了低导通电阻与低栅极电荷的出色平衡。其核心在于通过创新的单元布局和加工工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

在电气性能方面，该MOSFET展现出卓越的特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在工业级AC-DC电源及电机驱动等高压环境下的可靠隔离与安全裕量。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）额定值高达16A，配合仅205毫欧（在8A，10V条件下）的最大导通电阻（Rds(on)），能够有效降低导通状态下的功率损耗，减少发热。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至29nC（在10V条件下），结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率得以提升，从而允许使用更小体积的磁性元件。

该器件采用表面贴装型的PowerFlat HV（8x8）封装，这种封装形式具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其最大功率耗散能力为125W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境要求。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大栅源电压可承受±25V，提供了设计的灵活性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST一级代理进行采购与咨询。

凭借其高性能与高可靠性，STL25N60M2-EP非常适用于对效率和功率密度有严格要求的应用场景。它常被用作开关模式电源（SMPS）中的主开关管，特别是在功率因数校正（PFC）电路、LLC谐振转换器以及离线式反激/正激拓扑中。此外，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和焊接设备等领域的逆变与整流环节，它也能发挥关键作用，是实现高效电能转换的核心元器件之一。

• 型号:STL25N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:205 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• 想获取STL25N60M2-EP的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL25N60M2-EP是ST意法半导体MDmesh M2-EP系列中的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件设计用于在高达600V的电压和16A的连续电流下高效工作，其核心优势在于实现了低至205毫欧的导通电阻与仅29nC的栅极电荷之间的优异折衷，这直接转化为更低的导通与开关损耗。

它采用热增强型的表面贴装PowerFlat HV封装，支持高达125W的功率耗散，并能在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定运行。这些特性使其成为要求高效率和可靠性的高压、高频开关应用的理想选择，例如工业电源、电机驱动和新能源转换系统。