STL35N75LF3

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL35N75LF3是一款采用先进PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高功率密度与卓越的电气性能。其75V的漏源击穿电压（Vdss）与高达32A的连续漏极电流（Id）能力，为中等电压、大电流应用提供了坚实的硬件基础。其紧凑的3.3mm x 3.3mm PowerFlat封装不仅大幅节省了PCB空间，还通过优化的引脚布局和底部散热焊盘，显著提升了热管理效率，使得在表面贴装应用中也能处理高达50W的功率耗散。

在电气特性方面，STL35N75LF3表现出优异的导通性能与开关特性。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压下典型值仅为25毫欧（@4A），这意味着在导通状态下，器件的功率损耗极低，有助于提升系统整体效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，确保了与标准逻辑电平或微控制器GPIO口的良好兼容性。更低的栅极电荷（Qg，最大值7.5nC @ 4.5V）和输入电容（Ciss，最大值800pF @ 50V）是其另一大亮点，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了可靠的鲁棒性保障。

该器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应严苛的工业环境。其优化的参数组合，包括低导通电阻、低栅极电荷和出色的热性能，共同定义了其在功率转换领域的竞争力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

基于上述特性，STL35N75LF3非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。其主要应用方向包括但不限于：服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载点（POL）转换器、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、各类电源适配器中的初级或次级侧开关，以及电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。其表面贴装形式和高功率密度特性，使其成为现代高集成度电子设备中实现高效、紧凑功率管理的理想选择。

• 型号:STL35N75LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 32A POWERFLAT
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL35N75LF3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为75V，在25°C壳温下可承受高达32A的连续漏极电流，其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs条件下典型值低至25毫欧，有效降低了导通损耗。

其关键电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括最大7.5nC的低栅极电荷（Qg）和最大800pF的输入电容（Ciss），这有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备±20V的栅源电压耐受能力，确保了在严苛环境下的可靠性与鲁棒性。