STV240N75F3

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STV240N75F3是一款高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET III产品系列。该器件采用优化的垂直架构和创新的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心在于通过精细的沟槽栅极工艺，显著降低了单位面积的导通损耗，同时保持了稳健的栅极控制能力，为高效率功率转换奠定了坚实的物理基础。

在电气特性方面，STV240N75F3展现出卓越的性能指标。其漏源电压（Vdss）额定为75V，能够在25°C外壳温度下承受高达240A的连续漏极电流。尤为突出的是，其在10V栅极驱动电压、120A电流条件下的导通电阻（Rds(on)）典型值低至2.6毫欧，这一极低的导通损耗直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为100nC @ 10V，结合±20V的最大栅源电压容限，意味着器件具备快速的开关速度和良好的驱动兼容性，有助于简化栅极驱动电路设计并减少开关损耗。

该MOSFET封装于10-PowerSO表面贴装型封装中，这种封装形式提供了优异的散热性能和功率处理能力，其最大功率耗散可达300W（Tc）。宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障产品来源与后续服务的重要途径。尽管该产品目前已处于停产状态，但其成熟的设计和经过验证的性能参数，使其在特定存量或替代设计中仍具有参考价值。

基于其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，STV240N75F3非常适用于对效率和功率密度要求极高的应用场景。典型应用包括大电流DC-DC转换器、电机驱动控制器（如工业电机、电动工具）、不间断电源（UPS）系统中的功率开关模块，以及汽车电子中的高功率负载开关等。在这些领域中，其能够有效降低系统热设计难度，提升整体能效和可靠性。

• 型号:STV240N75F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 240A 10POWERSO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):240A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 120A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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STV240N75F3是ST意法半导体STripFET III系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装型10-PowerSO封装，核心优势在于其极低的导通电阻与高电流处理能力，其Rds(on)典型值低至2.6毫欧 @ 120A, 10V，并在25°C（Tc）下可支持高达240A的连续漏极电流，最大功率耗散为300W。

其电气参数设计旨在优化开关性能与效率。75V的漏源电压（Vdss）与仅100nC @ 10V的栅极电荷（Qg），配合±20V的栅源电压容限，共同确保了快速、高效的开关动作。这些特性使其非常适合应用于要求严苛的高功率、高效率场景，如大电流开关电源、电机驱动和功率分配系统。需要注意的是，该器件目前已处于停产状态。