STL36DN6F7

意法半导体（STMicroelectronics）推出的STL36DN6F7是一款采用先进PowerFLAT封装的双N沟道功率MOSFET。该器件隶属于STripFET产品系列，该系列以卓越的功率密度和开关效率而闻名。其核心架构集成了两个独立的N沟道MOSFET于一个紧凑的8-PowerVDFN封装内，这种设计不仅优化了PCB布局空间，还通过降低寄生电感来提升高频开关性能，为高功率密度应用提供了理想的解决方案。

在电气特性方面，STL36DN6F7展现出优异的性能平衡。其漏源电压（Vdss）额定值为60V，能够满足多种中压应用的需求。在25°C壳温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）高达33A，确保了强大的电流处理能力。更关键的是，其导通电阻（RDS(on)）在10V栅源电压（Vgs）和4.5A漏极电流下典型值仅为27毫欧，这一低导通损耗特性直接转化为更高的系统效率和更低的发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为8nC @ 10V，结合420pF @ 30V的输入电容（Ciss），意味着驱动损耗极低，能够实现快速、高效的开关切换，这对于开关电源和电机驱动等高频应用至关重要。

该器件提供了灵活的接口与可靠的参数保障。其标准N沟道FET功能使其易于驱动和控制，最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力。其最大功耗为58W，结合-55°C至175°C的宽结温（TJ）工作范围，赋予了产品出色的热稳定性和环境适应性。表面贴装型的PowerFLAT封装具有良好的散热性能，便于自动化生产。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过专业的ST芯片代理获取此产品及相关设计资源。

基于其高电流能力、低导通与开关损耗以及紧凑的双通道设计，STL36DN6F7非常适合应用于对效率和空间有严苛要求的场景。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电机驱动桥路、电池保护电路以及各类电源管理模块。它在服务器电源、电动工具、无人机电调及汽车辅助系统等领域都能发挥核心作用，是实现高性能、高可靠性功率电子系统的关键元器件之一。

• 型号:STL36DN6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420pF @ 30V
• 功率 - 最大值:58W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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STL36DN6F7是ST意法半导体STripFET系列中的一款双N沟道功率MOSFET，采用8-PowerVDFN（PowerFLAT）表面贴装封装。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET，专为高功率密度和高效率应用而优化。

其核心电气参数包括60V的漏源电压（Vdss）和高达33A（Tc）的连续漏极电流处理能力。关键优势在于极低的导通电阻（27毫欧 @ 10V）和栅极电荷（8nC @ 10V），这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗58W，提供了强大的热性能和可靠性。