STL38DN6F7AG

ST意法半导体推出的STL38DN6F7AG是一款符合汽车级AEC-Q101标准的双N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用先进的STripFET F7技术平台构建，其核心优势在于通过优化的单元结构和沟槽工艺，在紧凑的封装内实现了极低的导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）的卓越平衡。这种架构设计显著降低了传导损耗和开关损耗，对于提升系统效率、减少热设计复杂度至关重要，尤其适用于空间受限且对热管理要求严苛的汽车电子环境。

在电气特性方面，该器件具备60V的漏源击穿电压（Vdss）和高达10A的连续漏极电流能力。其导通电阻在典型工作条件下（5A，10V）仅为27毫欧，确保了在负载切换过程中产生最小的电压降和功率耗散。同时，最大栅极电荷低至7.9nC，结合380pF的输入电容，意味着驱动电路所需能量更少，能够实现更快的开关速度并简化栅极驱动设计。其宽广的工作结温范围覆盖-55°C至175°C，保证了在极端温度环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关设计资源。

该MOSFET采用表面贴装型的8-PowerVDFN封装，具有优异的热性能和紧凑的占板面积。其57.7W的功率处理能力（基于壳温）使其能够胜任高功率密度应用。这些特性共同指向其在汽车电子系统中的广泛应用，例如用于电机控制（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动、低侧开关以及各种DC-DC转换器中的同步整流和负载开关。其双通道集成设计进一步节省了PCB空间，简化了布局，是工程师设计高效、紧凑、高可靠性汽车电源与驱动方案的理想选择。

• 型号:STL38DN6F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 10A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.9nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380pF @ 25V
• 功率 - 最大值:57.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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STL38DN6F7AG是ST意法半导体推出的汽车级AEC-Q101认证双N沟道MOSFET阵列，隶属于高性能STripFET F7产品系列。该器件在60V漏源电压下提供10A的连续电流能力，其核心优势在于实现了27毫欧的低导通电阻与7.9nC低栅极电荷的优化组合，旨在最大限度地降低传导与开关损耗。

该MOSFET采用热增强型8-PowerVDFN表面贴装封装，支持高达175°C的结温工作，功率处理能力达57.7W。这些特性使其非常适用于要求高效率和可靠性的严苛环境，典型应用包括汽车领域的电机驱动、LED照明、DC-DC转换及负载开关等场景。