STL3N80K5

STL3N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的POWERFLAT封装技术。该器件设计用于高压开关应用，其核心架构基于ST成熟的平面MOSFET工艺，实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。内部结构优化了单元密度和栅极设计，确保了在高压条件下快速、可靠的开关性能，同时有效控制了寄生电容，为高频开关操作提供了基础。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级AC-DC电源、功率因数校正（PFC）等高压环境中的电压应力和尖峰。其连续漏极电流（Id）额定值为2.5A，结合POWERFLAT封装优异的散热性能，能够处理相当的功率水平。一个关键特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体系统效率，对于提升能源转换设备的能效等级至关重要。

在接口与参数方面，STL3N80K5的栅极驱动要求与标准逻辑电平MOSFET兼容，便于与主流控制器或驱动器连接。其动态参数，如栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），经过优化以降低开关损耗，并简化驱动电路设计。POWERFLAT封装不仅提供了紧凑的占板面积，其裸露的散热焊盘还极大地改善了热传导路径，允许器件在更高功率下稳定工作，扩展了其工作温度范围。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取正品器件和设计资源。

STL3N80K5典型的应用场景包括离线式开关电源（SMPS）、LED照明驱动、家用电器辅助电源以及工业电机控制中的辅助供电单元。其高耐压特性特别适用于基于反激或正激拓扑的初级侧开关，而良好的开关性能也使其可用于有源钳位或谐振转换器等更高效的拓扑中。这款器件是工程师在设计和升级高压、高效率、高可靠性功率电子系统时的一个稳健选择。

• 型号:STL3N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
• 系列:*
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• 想获取STL3N80K5的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL3N80K5是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用POWERFLAT封装。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和2.5A连续漏极电流（Id），专为高压功率开关应用而设计。

其技术亮点在于实现了高耐压与低导通电阻的优化组合，旨在最大限度地降低导通损耗，提升电源系统的整体效率。紧凑的POWERFLAT封装提供了出色的散热性能，确保器件在要求苛刻的功率转换环境中保持可靠运行。