STD7NM50N

STD7NM50N是ST意法半导体基于其先进的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心在于通过创新的单元结构和工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了快速开关特性，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源（SMPS）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，其在10V驱动电压、2.5A电流条件下的导通电阻典型值仅为780毫欧，较低的Rds(on)直接转化为更低的导通损耗和发热。此外，其栅极电荷（Qg）最大值控制在12nC（@10V），结合400pF的输入电容（Ciss），意味着栅极驱动所需的能量较低，有利于实现高速开关并简化驱动电路设计，从而降低开关损耗。

器件采用标准的DPAK（TO-252）表面贴装封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其额定连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）25°C条件下为5A，最大功耗可达45W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑替代方案或库存情况，用户可通过ST中国代理获取最新的产品线信息和技术支持。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关性能，STD7NM50N非常适用于要求高效率和高功率密度的中功率应用场景。典型应用包括液晶电视和台式电脑的开关电源初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及各种AC-DC转换器。在这些应用中，它能够有效处理高压开关动作，帮助系统实现更高的能效等级和更紧凑的尺寸。

• 型号:STD7NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:780 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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STD7NM50N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件核心规格为500V漏源电压（Vdss）和5A连续漏极电流（Id），采用DPAK表面贴装封装，专为高效功率转换设计。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至780毫欧，有助于减少导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，从而降低开关损耗，提升系统整体效率。这些特性使其成为中功率开关电源和功率校正应用的理想选择。