STL3NK40

STL3NK40是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和工艺制程，在硅片层面实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡。这种核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，对于提升开关电源等应用的整体效率至关重要。其设计确保了在高压工作条件下依然能保持稳定的电气性能和可靠性。

该MOSFET的显著功能特性体现在其高压与低损耗性能上。它具备400V的漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对反激式拓扑中常见的电压应力。在10V驱动电压下，其导通电阻典型值较低，结合仅13nC（最大值）的低栅极总电荷，使得器件在开关过程中兼具低导通损耗和快速的开关速度，有助于减少发热并提升系统频率响应。其阈值电压Vgs(th)最大值为2V，提供了良好的噪声抑制能力和易驱动性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取正品器件和技术支持。

在接口与参数方面，STL3NK40采用表面贴装的PowerFLAT 5x5封装，这种紧凑型封装具有优异的热性能和低寄生电感，非常适合高密度PCB设计。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下为430mA，最大功耗为2.5W（Tc）。器件的输入电容（Ciss）最大值仅为200pF @ 25V，进一步降低了驱动电路的负担。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的范围，提供了宽裕的驱动安全余量。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。

凭借其高压、低损耗及小型化封装的特点，该器件主要面向离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及家用电器中的辅助电源等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升电源转换效率，帮助设计者满足日益严格的能效标准，同时其小巧的封装有助于实现终端产品的小型化和轻量化设计。

• 型号:STL3NK40
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 430MA POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):430mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 欧姆 @ 220mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL3NK40是ST意法半导体推出的一款采用PowerFLAT封装的N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。其核心卖点在于400V的漏源电压（Vdss）与低至5.5欧姆的导通电阻（Rds(on)）相结合，同时具备极低的栅极电荷（Qg，最大值13nC），这使其在高压开关应用中能显著降低传导与开关损耗。

该器件在25°C壳温条件下的连续漏极电流为430mA，最大功耗2.5W，并支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了良好的功率处理能力和环境适应性。其紧凑的表面贴装封装为高功率密度设计提供了理想的解决方案。