STGAP1STR

STGAP1STR是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款单通道、基于磁耦合技术的隔离式栅极驱动器，属于其面向汽车电子应用的gapDRIVE产品系列，并符合AEC-Q100标准。该器件采用紧凑的24-SOIC封装，旨在为功率开关器件（如IGBT、SiC和GaN MOSFET）提供可靠、高效的驱动与电气隔离解决方案，尤其适用于对系统安全性和鲁棒性有严苛要求的应用环境。

该芯片的核心架构围绕其高隔离性能构建，提供了高达2500V_rms的电气隔离电压，能够有效阻断高压侧与低压控制侧之间的危险电位差，确保系统安全。其采用的磁耦合隔离技术，相较于传统光耦方案，在传播延迟、时序精度和长期可靠性方面表现更为出色。其典型传播延迟低至130纳秒，最大脉宽失真仅为10纳秒，配合典型值为25纳秒的快速上升/下降时间，确保了驱动信号的高保真度与精确控制，这对于实现高频开关、优化系统效率及降低开关损耗至关重要。

在驱动能力方面，STGAP1STR提供了对称的2.5A拉电流和灌电流输出能力，能够快速对功率器件的栅极电容进行充放电，从而有效减少开关过程中的导通与关断时间。其宽范围的输出侧供电电压（4.5V至36V）赋予了设计者极大的灵活性，可以适配不同栅极电压需求的功率器件。此外，其工作温度范围覆盖-40°C至125°C，确保了在极端环境下的稳定运行。对于需要获取此型号技术资料或样片的开发者，可以咨询专业的ST中国代理以获取全面的本地化支持。

凭借其出色的隔离特性、快速的开关性能以及宽泛的工作电压与温度范围，STGAP1STR非常适合应用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车车载充电机（OBC）及DC-DC转换器等高压功率转换场景。其符合汽车级标准的设计，也使其成为汽车动力总成和电池管理系统等对安全与可靠性要求极高领域的理想选择，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和技术指标仍代表了该领域的高水准解决方案。

• 型号:STGAP1STR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:24-SO
• 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
• 描述:DGTL ISO 2.5KV 1CH GATE DVR 24SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:磁耦合
• 通道数:1
• 电压 - 隔离:2500Vrms
• 共模瞬变抗扰度（最小值）:-
• 传播延迟 tpLH / tpHL（最大值）:130ns，130ns
• 脉宽失真（最大）:10ns
• 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns（最大）
• 电流 - 输出高、低:2.5A，2.5A
• 电流 - 峰值输出:-
• 电压 - 正向 (Vf)（典型值）:-
• 电流 - DC 正向 (If)（最大值）:-
• 电压 -输出供电:4.5V ~ 36V
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 工作温度:-40°C ~ 125°C
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:24-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:24-SO
• 认证机构:UL
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STGAP1STR是ST意法半导体gapDRIVE系列中的一款汽车级（AEC-Q100）单通道隔离栅极驱动器。它采用磁耦合技术，提供高达2500Vrms的电气隔离，确保高压功率侧与低压控制侧之间的安全隔离，满足严苛应用环境下的安全标准。

该器件具备优异的动态性能，其最大传播延迟仅为130ns，脉宽失真低至10ns，结合典型值25ns的快速上升/下降时间，能够实现对功率开关器件（如IGBT、MOSFET）的精确、高效驱动。其对称的2.5A输出电流能力，配合4.5V至36V的宽输出供电电压范围，为多样化的功率设计提供了高度的灵活性和强大的驱动保障。