STL40DN3LLH5

STL40DN3LLH5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的高性能双N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的STripFET V产品系列。该器件采用创新的垂直沟道架构，通过优化单元密度和沟道设计，在紧凑的封装内实现了极低的导通电阻与出色的开关性能。其核心设计旨在最大限度地降低传导和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要，特别是在高频或大电流应用场景中。

该MOSFET集成了两个独立的N沟道增强型MOSFET，其标准功能设计提供了高度的设计灵活性。其关键电气特性表现卓越，最大导通电阻（RDS(on)）低至18毫欧（在VGS=10V，ID=5.5A条件下），这直接转化为更低的导通压降和功率损耗。同时，栅极总电荷（Qg）最大值仅为4.5nC（在VGS=4.5V条件下），结合475pF（在VDS=25V条件下）的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗并允许更高频率的操作。其阈值电压（VGS(th)）最大值为1.5V，提供了良好的噪声容限和驱动兼容性。

在接口与参数方面，STL40DN3LLH5具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和40A的连续漏极电流（ID）能力，最大功耗为60W。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在苛刻环境下的可靠运行。器件采用表面贴装型8-PowerVDFN封装（也称为PowerFLAT56），该封装具有优异的热性能和极低的封装寄生电感，有利于散热并提升高频性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品，确保原装正品和技术支持。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和快速开关特性，STL40DN3LLH5非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。典型应用包括同步整流电路、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）、电机驱动控制、电池保护开关以及各类电源管理模块。其双通道设计也使其成为需要紧凑布局的多相供电或并联应用的理想选择，能够有效简化PCB设计并提升系统功率等级。

• 型号:STL40DN3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475pF @ 25V
• 功率 - 最大值:60W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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STL40DN3LLH5是ST意法半导体STripFET V系列中的一款有源、双N沟道功率MOSFET阵列。该器件设计用于高效功率转换，其核心优势在于极低的导通电阻与优化的动态参数。

它在30V漏源电压下支持高达40A的连续电流，最大导通电阻仅为18毫欧，显著降低了传导损耗。同时，极低的栅极电荷（4.5nC）和输入电容确保了快速的开关速度，有助于最小化开关损耗。其采用热增强型表面贴装PowerFLAT56封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，为高密度、高可靠性电源应用提供了紧凑而强大的解决方案。