STL45N10F7AG

ST意法半导体推出的STL45N10F7AG是一款采用先进STripFET F7技术平台的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，通过精细的单元结构和沟槽栅极工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心优势在于将高功率密度与卓越的可靠性融为一体，特别符合汽车电子AEC-Q101标准的严苛要求，确保了在振动、温度冲击等恶劣环境下的稳定运行。

在电气特性方面，该MOSFET展现出显著的高效与快速开关能力。其最大导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压下仅为24毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，栅极电荷（Qg）典型值较低，约为19.5nC，结合适中的输入电容（Ciss），使得器件在高速开关应用中能够实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于简化栅极驱动电路设计并减少电磁干扰（EMI）。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了良好的抗噪能力和设计裕度。

该器件封装于紧凑的PowerFlat（5x6）封装中，这种表面贴装型封装具有优异的热性能和极低的封装寄生电感。其最大连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达18A，最大功率耗散为72W，结合低热阻的封装设计，能够有效地将芯片产生的热量传导至PCB，确保在高负载下稳定工作。其工作结温（TJ）范围宽广，从-55°C延伸至175°C，使其能够适应从寒冷启动到引擎舱高温的各类严苛环境。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的ST授权代理渠道获取此产品，以确保原装正品和技术支持。

凭借100V的漏源击穿电压（Vdss）和稳健的性能，STL45N10F7AG非常适用于需要高效率功率转换和控制的汽车电子及工业应用场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动控制模块（如泵、风扇、车窗升降器），以及电池管理系统（BMS）中的负载开关与保护电路。其AEC-Q101认证身份使其成为设计48V系统、启停系统、电动助力转向（EPS）等汽车级功率电子方案的理想选择。

• 型号:STL45N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:24 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL45N10F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅工艺，在紧凑的PowerFlat封装内实现了优异的电气特性，其关键参数包括100V的漏源电压（Vdss）、18A的连续漏极电流（Id）以及在10V Vgs下仅24毫欧的最大导通电阻（Rds(on)），确保了低导通损耗和高功率密度。

此外，其较低的栅极电荷（Qg，典型值19.5nC @ 10V）有助于实现高速开关，降低开关损耗和驱动需求。宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）和72W的功率耗散能力，使其能够可靠地应对汽车及工业环境中的严苛温度条件和功率处理要求。