STL50N6F7

STL50N6F7是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直沟槽栅极架构，通过精密的单元设计和制造工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与优异的开关性能平衡。其核心设计旨在最大限度地减少传导和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）额定为60V，在25°C壳温条件下可支持高达50A的连续漏极电流，展现了强大的电流处理能力。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值极低，最大值仅为14毫欧（在6.5A条件下测量），这直接转化为更低的通态功耗和更少的热量产生。同时，其栅极总电荷（Q_g）最大值控制在17nC（@10V），结合980pF（@25V）的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有利于在高频开关应用中降低开关损耗。器件栅源电压（V_GS）耐受范围为±20V，提供了稳健的驱动容限。

在封装与可靠性方面，STL50N6F7采用了表面贴装型的PowerFlat（5x6）封装。这种封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其结壳热阻低，允许在高达71W（Tc条件下）的功率耗散下稳定工作。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，能够适应严苛的环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，STL50N6F7非常适用于对效率和功率密度有高要求的应用场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动控制电路、锂离子电池保护及管理模块，以及各类工业电源和服务器电源中的功率开关部分。其性能参数使其成为在中等电压范围内构建高效、紧凑型功率解决方案的理想选择。

• 型号:STL50N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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STL50N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在60V的漏源电压（V_DSS）额定值下，能够处理高达50A的连续漏极电流，并实现了极低的导通电阻（R_DS(on)），典型值在10V V_GS下仅为14毫欧，有效降低了传导损耗。

其设计兼顾了开关性能，最大栅极电荷（Q_g）为17nC，有助于实现快速开关并减少开关损耗。器件采用热增强型表面贴装PowerFlat封装，支持高达175°C的结温工作，功率耗散能力达71W，确保了在高温、高功率密度应用中的可靠性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换器等应用的优选功率开关器件。