STL75N8LF6

STL75N8LF6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET VI和DeepGATE技术平台构建。该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，专为高功率密度和高效散热的应用场景而优化。其核心架构旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能，通过优化的单元设计和沟槽栅极工艺，在紧凑的封装内实现了高电流处理能力与低热阻的平衡。

该MOSFET的显著特性包括高达80V的漏源电压（Vdss）和75A的连续漏极电流（Id）额定值，使其能够承受严苛的功率环境。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压下典型值极低，仅为7.4毫欧（@9A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在125nC（@4.5V），结合优化的输入电容，有助于降低开关损耗，提升高频开关应用的性能。其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，约为1V，确保了在标准逻辑电平下的良好驱动兼容性，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，STL75N8LF6支持宽范围的栅源电压（Vgs），从-16V到+21V，提供了设计上的灵活性。其工作结温范围宽广，为-55°C至175°C，结合80W（Tc）的最大功率耗散能力，确保了器件在高温环境下的可靠运行。用户可以通过官方授权的ST代理获取详细的技术支持与供货信息。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数对于理解同类高功率密度MOSFET的选型仍有重要参考价值。

得益于其低导通电阻、高电流能力和优化的热性能，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括服务器和电信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制单元、工业电源以及各类需要高效开关和功率管理的车载电子系统。其PowerFlat封装尤其适合空间受限但对散热有高要求的现代紧凑型电子设备。

• 型号:STL75N8LF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.4 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:125 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+21V，-16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6895 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL75N8LF6是ST意法半导体基于STripFET VI和DeepGATE技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用PowerFlat（5x6）表面贴装封装，核心优势在于其出色的功率处理能力与低损耗特性，额定值为80V漏源电压和75A连续漏极电流。

其关键电气参数定义了高性能表现：极低的导通电阻（典型7.4毫欧 @ 10V）显著降低了传导损耗，而优化的栅极电荷（125nC @ 4.5V）有助于实现高效的开关操作。器件支持宽泛的栅极驱动电压（-16V至+21V）并拥有-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在各种应用环境下的设计灵活性与运行可靠性。