STL7LN65K5AG

STL7LN65K5AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款面向严苛应用环境的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面工艺技术制造，其核心架构旨在实现高耐压与低导通损耗的平衡。其650V的漏源击穿电压（Vdss）为应对工业及汽车系统中的电压尖峰和开关瞬态提供了充足的裕量，而优化的单元设计则有效控制了器件的寄生电容。

该MOSFET的功能特点突出体现在其优异的开关性能与导通特性上。在10V的驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值较低，在2.5A电流下最大值仅为1.5欧姆，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在11.7nC，结合270pF的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度，能够有效降低开关过程中的能量损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。

在接口与关键参数方面，该器件在25°C壳温（Tc）下可连续通过5A的漏极电流，最大功耗为79W，展现了其强大的电流处理与散热能力。其阈值电压Vgs(th)最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力。该MOSFET采用表面贴装的PowerFlat（5x6）VHV封装，这种封装具有极低的热阻和紧凑的占板面积，有利于在高功率密度设计中实现有效的热管理。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，完全满足汽车级AEC-Q101标准的可靠性要求，确保了在极端温度环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过ST中国代理获取该产品的详细资料与采购服务。

基于其高耐压、高效率和高可靠性的特点，STL7LN65K5AG非常适合于一系列要求严苛的应用场景。在汽车电子领域，它是车载充电器（OBC）、DC-DC转换器以及电机驱动控制单元的理想选择。在工业领域，该器件可广泛应用于开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及各类电机驱动和照明控制系统中，为提升整机能效和功率密度提供了可靠的半导体解决方案。

• 型号:STL7LN65K5AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT VHV
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:79W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL7LN65K5AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用PowerFlat VHV封装，具备650V的高漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流处理能力，专为高可靠性应用设计。

其核心电气参数针对高效率开关进行了优化，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值为1.5Ω，同时栅极电荷（Qg）低至11.7nC，这有效平衡了传导损耗与开关损耗。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了在恶劣环境下的稳定运行。

这些特性使其成为汽车车载充电、工业电源转换及电机驱动等需要高耐压、高效率和高功率密度解决方案的关键功率开关元件。