STP16N65M5

STP16N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的TO-220-3通孔封装，专为高效率、高可靠性的功率转换应用而设计。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在实现极低导通电阻的同时，显著降低了开关损耗和栅极电荷，从而在整体能效和开关性能之间取得了卓越的平衡。

该MOSFET具备650V的高漏源击穿电压（Vdss），为离线式开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路提供了充足的电压裕量，增强了系统在电网波动下的可靠性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为12A，结合仅299毫欧（@6A, 10V）的低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通期间能够有效降低传导损耗，提升整体效率。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，最大栅源电压（Vgs）可承受±25V，提供了较强的抗干扰能力。

在动态特性方面，较低的栅极电荷（Qg，最大值45nC @10V）和输入电容（Ciss，最大值1250pF @100V）是其突出优势，这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。器件最大功耗为90W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取此产品及相关设计资源。

凭借这些特性，STP16N65M5非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场合。其主要应用场景包括工业级开关电源、服务器和通信设备电源、照明用LED驱动电源、电机驱动控制以及不间断电源（UPS）系统中的功率级。其TO-220封装形式兼顾了散热性能与安装便利性，是中等功率段硬件设计的优选功率开关解决方案。

• 型号:STP16N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP16N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220-3封装。该器件隶属于先进的MDmesh V产品系列，核心优势在于其650V的漏源电压（Vdss）和12A的连续漏极电流（Id）能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：导通电阻（Rds(on)）低至299毫欧（@6A, 10V），有效降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为45nC，有利于实现高速开关并减少驱动电路损耗。这些特性使其在高达150°C的结温下仍能保持高效稳定工作，非常适合用于提升开关电源、PFC电路及电机驱动等应用的能效与可靠性。