STL7N60M2

STL7N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过降低单元密度和优化电荷平衡，在保持高阻断电压的同时，显著改善了导通电阻与栅极电荷之间的权衡关系。其核心架构旨在实现快速开关与低导通损耗的平衡，这对于提升开关电源等应用的效率至关重要。

该器件具备多项突出的功能特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC转换及电机驱动中常见的高压应力环境。在导通特性方面，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，这直接转化为更低的通态损耗和更高的能效。同时，其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过精心优化，有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，从而减少开关损耗并允许使用更高频率的拓扑设计。

在接口与关键参数方面，STL7N60M2在25°C壳温（Tc）下可支持连续漏极电流（Id）高达5A，展现了其强大的电流处理能力。其栅极阈值电压（Vgs(th)）设计合理，确保了良好的噪声免疫性和可靠的导通控制。器件采用表面贴装型的PowerFLAT（5x6）封装，这种封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积也满足了现代高密度电源设计的需求。其最高结温（Tj）可达150°C，确保了在严苛环境下的可靠工作。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理进行采购与咨询。

得益于其高压、高效、高可靠性的特点，STL7N60M2非常适合于一系列要求严苛的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路、反激式或正激式主开关的理想选择。此外，在工业自动化领域，如电机驱动控制、变频器和不间断电源（UPS）的逆变级中，该器件也能发挥关键作用。其快速开关特性也使其适用于照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。

• 型号:STL7N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFLAT（5x5）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4W（Ta），67W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 想获取STL7N60M2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STL7N60M2是ST意法半导体推出的一款采用MDmesh技术的N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其600V的漏源电压（Vdss）与优化的动态特性之间的出色平衡，适用于高压开关应用。

其技术参数表现出色，在10V栅极驱动下提供较低的导通电阻，同时栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）得到有效控制，这共同确保了高效率与快速开关性能。器件采用散热性能优异的PowerFLAT表面贴装封装，在25°C壳温下可承受5A的连续漏极电流，最高结温达150°C，满足紧凑型、高可靠性电源设计的严苛要求。