STL7N80K5

STL7N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过精细的单元设计和创新的沟槽工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻与电荷平衡，从而在高压应用中显著降低了传导损耗和开关损耗，提升了整体能效。

作为SuperMESH5产品家族的一员，其核心优势在于高达800V的漏源击穿电压（Vdss）与优异的动态特性。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为3.6A，而导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压、3A电流下典型值仅为1.2欧姆，确保了在导通状态下具有较低的功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在13.4nC（@10V），输入电容（Ciss）最大值也仅为360pF（@100V），这意味着器件所需的驱动能量更小，开关速度更快，有助于简化驱动电路设计并提升高频开关性能。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±30V，提供了宽裕的安全工作裕度。

该器件采用表面贴装型PowerFlat（5x6）封装，这种紧凑的封装形式不仅优化了PCB空间利用率，其裸露的焊盘设计也极大地改善了散热性能，使得在最高结温150°C（TJ）下，器件的最大功率耗散能力达到42W（Tc）。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）保证了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取原厂正品和技术支持。

凭借其高压、低损耗和高开关频率的特性，STL7N80K5非常适用于要求高效率和高功率密度的离线式开关电源（SMPS）初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及工业电机驱动等应用场景。其稳健的设计使其成为工程师在开发800V级高压功率转换方案时，追求系统效率、可靠性与成本平衡的优选功率开关器件。

• 型号:STL7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL7N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5系列。该器件采用先进的MOSFET技术，具备800V的漏源电压（Vdss）额定值和3.6A（Tc）的连续漏极电流能力，专为应对高压、高效率的功率转换需求而设计。

其关键电气参数表现出色，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1.2欧姆（@3A），同时栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）分别被优化至13.4nC和360pF，这共同确保了较低的传导损耗与快速的开关特性，有助于提升系统整体能效。器件采用散热性能优异的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，最大功率耗散为42W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，提供了出色的热管理和环境适应性。