STL80N75F6

作为ST意法半导体旗下STripFET VI系列的一员，STL80N75F6是一款采用先进的DeepGATE技术构建的N沟道功率MOSFET。该技术通过优化单元密度和沟槽栅极结构，在硅片层面实现了卓越的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on) * Qg），这一关键指标直接决定了开关效率与损耗。其核心架构旨在为高电流、高频率的开关应用提供一个高效且可靠的功率开关解决方案，尤其注重在有限的封装尺寸内实现功率密度的最大化。

该器件在电气性能上表现出显著优势。其最大导通电阻（Rds(on)）仅为6.3毫欧（在10V Vgs， 9A Id条件下），这一低阻值特性意味着在导通状态下能够显著降低传导损耗，提升整体系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）典型值控制在100nC（在10V Vgs条件下），较低的栅极电荷有助于降低驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而简化电路设计并加快开关速度。结合高达80A的连续漏极电流（Tc条件下）和75V的漏源击穿电压（Vdss），它能够稳健地处理中高功率等级的负载。

在接口与热管理方面，STL80N75F6采用了表面贴装型的PowerFlat（5x6）封装。这种封装不仅提供了优异的散热性能，其低轮廓设计也节省了宝贵的PCB空间，非常适用于对体积有严格限制的现代电子设备。其栅极驱动电压（Vgs）范围为±20V，标准驱动电平为10V，提供了良好的噪声容限。器件的结温（TJ）工作范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了其在苛刻环境下的稳定运行，最大功率耗散能力为80W（Tc条件下）。对于需要可靠供应链与技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取产品信息与采购服务。

基于其高性能参数，该MOSFET非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器中的同步整流和初级侧开关、大电流电机驱动与控制、不间断电源（UPS）系统以及各类工业电源模块。其快速开关特性和低导通损耗使其成为提升开关电源转换效率和功率密度的理想选择，尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能指标仍代表了其在所属领域的技术方向。

• 型号:STL80N75F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.3 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7120 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL80N75F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用DeepGATE技术的STripFET VI产品系列。该器件设计用于提供出色的开关性能与功率处理能力，其核心电气参数包括75V的漏源电压（Vdss）和高达80A（Tc）的连续漏极电流。

其关键优势在于极低的导通电阻，最大值仅为6.3毫欧（@10V Vgs），配合100nC（@10V）的典型栅极电荷，有效平衡了传导损耗与开关损耗，从而提升整体能效。器件采用节省空间的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于高密度、高可靠性的电源转换与电机驱动应用。