STL90N6F7

STL90N6F7是ST意法半导体基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其核心设计聚焦于降低单位面积的导通电阻（R_DS(on)），这得益于精细的沟槽栅极工艺和优化的单元结构，使得在紧凑的封装内能够处理高达90A的连续漏极电流（T_C=25°C时）。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的功率效率。在10V驱动电压下，其最大导通电阻仅为5.4毫欧（测试条件：I_D=10.5A），这一低R_DS(on)值直接转化为更低的传导损耗，尤其在高压侧开关或同步整流应用中能显著提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在25nC（@10V），结合1600pF的输入电容（C_iss），确保了快速的开关切换能力，有助于降低开关损耗并允许更高频率的操作，为电源设计提供了更大的灵活性。

在电气接口与参数方面，STL90N6F7提供了60V的漏源击穿电压（V_DSS），适用于常见的48V或更低电压的工业总线环境。其栅源电压（V_GS）最大额定值为±20V，提供了可靠的驱动安全裕度。器件的阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，具备良好的噪声抑制能力。其热性能同样出色，最大结温（T_J）高达175°C，并且在采用表面贴装的PowerFlat（5x6）封装下，通过有效的散热设计，在特定条件下可实现高达94W（T_C）的功率耗散能力，确保了在高功率密度应用中的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取此型号的正品器件和技术支持。

凭借其高电流能力、低导通电阻和优异的开关特性，STL90N6F7非常适合于对效率和空间有严苛要求的应用场景。它常被用于DC-DC转换器的同步整流和功率开关级，特别是在服务器电源、通信基础设施和工业电源模块中。此外，其在电机驱动控制（如电动工具、无人机电调）、电池管理系统（BMS）的充放电保护电路以及各类高效的负载开关中，也能发挥关键作用，是实现紧凑、高效功率解决方案的核心组件之一。

• 型号:STL90N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 90A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），94W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL90N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在60V的漏源电压（V_DSS）额定值下，能够持续承载高达90A的电流，并实现了仅为5.4毫欧的极低导通电阻（R_DS(on)），这使其在传导损耗方面表现卓越。

该MOSFET设计兼顾了开关性能，其最大栅极电荷（Q_g）为25nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用热增强型PowerFlat（5x6）表面贴装封装，支持高达175°C的结温，功率处理能力出色。这些特性使其成为高效率、高功率密度电源转换和电机驱动应用的理想选择。