STL92N10F7AG

STL92N10F7AG是意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET技术制造，专为满足汽车电子等高可靠性应用场景的苛刻要求而设计。该器件基于优化的垂直架构，通过精细的单元设计和沟槽栅工艺，在单位芯片面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)）与优异的开关性能平衡。其核心优势在于将高功率处理能力与紧凑的封装形式相结合，为工程师在空间受限的电源管理、电机驱动及负载开关电路中提供了高效、可靠的半导体解决方案。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达100V，确保了在汽车电池系统或工业电源总线等存在电压瞬变环境下的稳定工作。在25°C壳温条件下，连续漏极电流（I_D）可达16A，展现出强大的电流承载能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、8A漏极电流条件下典型值仅为9.5mΩ，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷（Q_g）被控制在45nC（@10V），配合4.5V（最大值）的阈值电压（V_GS(th)），使得器件易于驱动，并能实现快速的开关切换，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，STL92N10F7AG采用表面贴装的PowerFlat（5x6）封装。这种封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积也顺应了现代电子产品小型化的趋势。器件支持高达±20V的栅源电压（V_GS），为驱动设计提供了充足的裕量。其宽泛的工作结温（T_J）范围从-55°C延伸至175°C，完全符合AEC-Q101汽车级认证标准，确保了在极端温度环境下的长期可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方ST授权代理渠道进行采购与咨询。

凭借其高耐压、大电流、低损耗及高可靠性的特点，STL92N10F7AG非常适合应用于对空间和效率有严格要求的领域。在汽车电子中，它是驱动燃油泵、风扇、车窗升降器等电机控制单元，以及LED照明驱动、电池管理系统中负载开关的理想选择。在工业领域，可用于DC-DC转换器、伺服驱动、电源逆变模块等。其AEC-Q101认证身份使其成为开发符合车规级标准的48V系统、启停系统及新能源汽车辅助电源模块的优选功率器件，助力实现更高效、更紧凑的电气架构。

• 型号:STL92N10F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 欧姆 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL92N10F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET技术，在紧凑的PowerFlat（5x6）表面贴装封装内，提供了100V的漏源电压（Vdss）和高达16A（Tc）的连续漏极电流处理能力。

其核心电气优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为9.5mΩ @ 8A，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大45nC）和开关特性有助于提升系统效率并简化驱动设计。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛汽车环境下的高可靠性与稳定性。