STL9N60M2

作为ST意法半导体MDmesh II Plus产品家族的一员，STL9N60M2是一款采用先进超结（Super-Junction）技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于ST专有的MDmesh II Plus技术平台，该平台通过优化单元结构和垂直掺杂分布，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻（RDS(on)）与电荷（Qg）乘积，从而在开关性能与导通损耗之间取得了卓越的平衡。这种设计使得器件在高压开关应用中能够显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体系统效率。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（V_DSS）高达600V，为离线式开关电源、功率因数校正（PFC）等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压（V_GS）下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值仅为860mΩ（在2.4A条件下），较低的导通电阻直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，其栅极总电荷（Q_g）典型值低至10nC（在10V条件下），结合较低的输入电容（C_iss），意味着驱动电路所需的驱动电流更小，开关速度更快，开关损耗得以进一步降低，这对于高频开关应用至关重要。

在接口与关键参数上，STL9N60M2设计为表面贴装器件，采用紧凑的PowerFlat 5x6 HV封装。这种封装不仅提供了优异的散热性能，其低剖面特性也满足了现代电子设备对空间日益严苛的要求。其连续漏极电流（I_D）在壳温（T_C）为25°C时额定值为4.8A，最大栅源电压（V_GS）范围为±25V，提供了宽裕且安全的驱动窗口。器件结温（T_J）最高可承受150°C，确保了在高温环境下的稳定工作能力。用户可以通过授权的ST代理商获取完整的技术规格书、评估板以及可靠的原厂供货支持。

凭借其高性能与高可靠性，STL9N60M2非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。它是构建反激式、正激式开关电源（SMPS）初级侧开关管的理想选择，尤其适用于适配器、LED驱动电源和辅助电源模块。此外，在功率因数校正（PFC）升压级、电机驱动逆变器的辅助电源以及工业控制领域的功率开关电路中，该器件也能发挥其低损耗、快速开关的优势，帮助设计工程师优化系统效率，减小方案尺寸，并提升产品的市场竞争力。

• 型号:STL9N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:860 毫欧 @ 2.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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STL9N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MDmesh II Plus技术，专为高效率、高可靠性的高压开关应用而设计。其核心优势在于600V的漏源电压（V_DSS）额定值，为离线电源应用提供了坚固的保障。

该器件在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至860mΩ，同时栅极电荷（Q_g）仅为10nC，这一优异的FOM（品质因数）组合实现了传导损耗与开关损耗的双重优化。其采用紧凑的PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达4.8A的连续漏极电流和150°C的最高结温，确保了在空间受限且要求高温稳定性的应用场景中的出色表现。