STN5PF02V

STN5PF02V是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款P沟道功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽栅工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其核心架构优化了单元密度与沟道迁移率，使得在紧凑的封装尺寸下，能够高效处理中等功率负载。作为STripFET II系列的一员，其设计重点在于降低传导损耗和栅极电荷，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的显著特性包括20V的漏源击穿电压（Vdss）和在25°C壳温下高达4.2A的连续漏极电流能力。其导通电阻表现优异，在Vgs为4.5V、Id为2.1A的条件下，Rds(on)最大值仅为80毫欧，确保了在导通状态下的低功耗。同时，其栅极驱动设计较为友好，阈值电压Vgs(th)最大值为450mV，且在2.5V驱动电压下的栅极总电荷（Qg）最大值仅为6nC，这有助于简化驱动电路设计并降低开关损耗，特别适合由低电压逻辑信号直接控制的场景。

在电气参数方面，STN5PF02V的输入电容（Ciss）在Vds为15V时最大为412pF，结合较低的Qg，共同贡献了其快速的开关瞬态响应。器件的栅源电压可承受±8V的范围，提供了一定的设计余量。其最大功耗为2.5W（基于壳温），工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠性。该器件采用SOT-223表面贴装封装，在有限的PCB空间内实现了良好的散热与功率处理能力，如需获取该器件的库存或技术支援，可以咨询官方授权的ST代理。

得益于其P沟道特性与优异的性能参数，STN5PF02V非常适合应用于需要高端负载开关的场合。典型应用包括便携式设备的电源管理，如负载开关、电池反接保护电路和DC-DC转换器中的同步整流或开关元件。在电机驱动、低压伺服控制等系统中，它也常被用于桥式结构的构建。其紧凑的封装和良好的效率表现，使其成为空间受限且对功耗敏感的中低功率电子产品的理想选择。

• 型号:STN5PF02V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.1A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:450mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 2.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:412 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• 想获取STN5PF02V的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STN5PF02V是意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的P沟道功率MOSFET。该器件在SOT-223封装内集成了20V的漏源电压（Vdss）和4.2A的连续漏极电流处理能力，专为高效、紧凑的功率开关应用而设计。

其核心优势在于优异的导通特性，在4.5V栅极驱动下导通电阻（Rds(on)）最大仅为80毫欧，能显著降低传导损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg最大6nC）和适中的阈值电压，使其易于被微控制器等低压逻辑电路直接驱动，有助于简化系统设计并提升开关效率。

该器件工作结温范围宽（-55°C至150°C），适用于要求高可靠性的环境，是便携式设备电源管理、DC-DC转换及电机控制等中低功率应用的理想解决方案。