STN6N60M2

STN6N60M2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M2技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于第二代MDmesh技术，该技术通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时优化了内部电荷特性，从而提升了开关效率并降低了开关损耗，为高频开关应用提供了坚实的基础。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（Vdss），能够可靠地工作在离线式电源等高压环境中。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为5.5A，展现出良好的电流处理能力。其导通电阻在10V栅极驱动电压、2A漏极电流条件下典型值仅为1.25欧姆，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统能效。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为6.2nC（@10V），结合220pF（@100V）的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量更小，这不仅简化了栅极驱动设计，还有助于实现更高频率的开关操作，减少开关过程中的热量累积。

器件采用紧凑的SOT-223-2表面贴装封装，节省了PCB空间，适用于高密度板卡设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了较强的抗干扰能力。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高压、低导通电阻和快速开关的特性，STN6N60M2非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、照明用电子镇流器以及电机驱动辅助电源等。在这些应用中，它能够有效提升整体系统的能源转换效率，并帮助实现更小的产品尺寸。

• 型号:STN6N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-2
• 封装/外壳:TO-261-3
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STN6N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装SOT-223-2封装。该器件隶属于先进的MDmesh M2产品系列，核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至1.25欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高压应用中显著降低导通损耗。

其技术参数针对高效开关应用进行了优化，在10V栅极驱动下，最大栅极电荷（Qg）仅为6.2nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。器件额定连续漏极电流（Id）为5.5A（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行和较高的功率处理能力。