STO67N60M6

STO67N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的TOLL（HV）表面贴装封装，专为在高频开关应用中实现高效率与高功率密度而设计。其核心架构融合了创新的垂直沟槽工艺与电荷平衡技术，在单芯片上实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与出色的开关性能平衡，有效降低了传导损耗和开关损耗，为电源转换系统提供了坚实的硬件基础。

在功能特性方面，该MOSFET展现出卓越的性能指标。其600V的漏源击穿电压（Vdss）确保了在工业级AC-DC电源、电机驱动等高压环境下的可靠运行。在25°C壳温（Tc）条件下，器件能够持续承受高达34A的漏极电流（Id），具备强大的电流处理能力。尤为突出的是，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值极低，最大值仅为54毫欧（@26A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在72.5nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于简化驱动电路设计并提升开关速度，减少开关过程中的能量损失。

该器件的接口与参数设计充分考虑了实际应用的便捷性与鲁棒性。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±25V的栅源电压，提供了良好的抗干扰能力。工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境温度要求。TOLL封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积也契合了当前电子设备小型化的趋势。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取稳定的货源、完整的数据手册以及深入的应用指导。

基于上述技术优势，STO67N60M6非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）电路和LLC谐振转换器初级侧开关的理想选择，可广泛应用于服务器电源、通信电源、工业电源及光伏逆变器等设备。此外，在电机驱动、不间断电源（UPS）以及电焊机等需要高效功率切换的领域，该器件也能发挥其高压、大电流、低损耗的特性，助力系统实现更高的能效等级和更紧凑的尺寸设计。

• 型号:STO67N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:54 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
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STO67N60M6是ST意法半导体推出的一款采用TOLL封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压、高频开关应用，其核心优势在于优异的导通与开关特性平衡。

它提供600V的漏源电压（Vdss）和34A（Tc）的连续漏极电流能力，确保了在严苛功率环境下的可靠性。关键参数方面，其在10V驱动电压下的导通电阻（Rds(on)）最大值仅为54毫欧，同时栅极电荷（Qg）最大值低至72.5nC，这共同实现了更低的传导损耗和更快的开关速度，有助于提升整体电源系统的效率与功率密度。