STP100N6F7

STP100N6F7是ST意法半导体基于其先进的STripFET F7技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和沟槽栅工艺，在硅片层面实现了极低的单位面积导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心设计目标是在60V的中压应用领域，提供高电流承载能力与高效率，同时确保优异的散热性能和长期可靠性，是工程师在功率转换与电机控制等应用中进行高密度设计的理想选择。

该器件最显著的特性是其极低的导通损耗。在10V栅极驱动电压、50A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为5.6毫欧，这一数值在同类TO-220封装的器件中极具竞争力。低导通电阻直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率并减少热管理压力。同时，其栅极电荷（Qg）被控制在30nC（@10V）的较低水平，这意味着开关过程中的栅极驱动损耗更低，开关速度更快，尤其适合高频开关应用，如DC-DC转换器和电机驱动中的PWM控制。

在电气参数方面，STP100N6F7具备60V的漏源击穿电压（Vdss），可提供充足的电压裕量以应对线路中的电压尖峰。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下高达100A，展现出强大的电流处理能力。器件支持高达±20V的栅源电压（Vgs），增强了驱动电路的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在严苛环境下的稳定运行。该器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器，其125W（Tc）的最大功率耗散能力为高功率应用提供了保障。如需获取官方技术支持和样品，可以通过授权的ST代理进行咨询与采购。

凭借上述综合性能，STP100N6F7非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。其主要应用场景包括工业领域的电机驱动、伺服控制器和机器人关节控制，汽车电子中的电动水泵、风扇控制及辅助驱动，以及通信和服务器电源中的同步整流、DC-DC降压转换和OR-ing功能。在这些应用中，其出色的开关特性与低导通电阻能够有效降低系统能耗，提升功率密度与可靠性。

• 型号:STP100N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1980 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP100N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其卓越的电气性能组合，旨在为60V电压等级的应用提供高效率的功率开关解决方案。

其技术亮点包括高达100A（Tc）的连续漏极电流处理能力，以及在10V驱动下低至5.6毫欧的导通电阻，这显著降低了传导损耗。同时，优化的30nC栅极电荷确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些参数共同使其成为要求高电流、低损耗和高开关频率应用的理想选择，例如电机驱动和开关电源。

器件支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为125W（Tc），具备良好的热性能和可靠性，适用于工业控制、汽车电子及电源转换等多种严苛环境。