STP10N80K5

STP10N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh K5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，在单一硅片上实现了高耐压与低导通电阻的出色平衡。其核心在于通过创新的单元结构和加工工艺，显著降低了单位面积下的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的动态特性与开关性能，为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等应用中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为9A，结合仅600mΩ（典型条件下）的低导通电阻，意味着在导通期间能够有效降低功率损耗，提升系统整体能效。其栅极驱动设计友好，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极电荷（Qg）最大值控制在22nC，这有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面，STP10N80K5展现了全面的可靠性。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的范围，增强了抗干扰能力。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有利于实现更快的开关速度和更低的电磁干扰（EMI）。器件采用经典的TO-220通孔封装，提供了良好的机械强度和散热能力，其最大功率耗散可达130W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保其在严苛环境下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取原装正品和技术支持。

凭借其高耐压、低损耗和强健的封装特性，这款MOSFET非常适用于需要高效能和高可靠性的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关电路、工业电机驱动与变频器、UPS（不间断电源）系统以及照明镇流器等。在这些场景中，它能够有效提升功率密度，减少散热需求，是工程师设计下一代高效、紧凑型功率解决方案的理想选择。

• 型号:STP10N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:635 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP10N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与低至600mΩ的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高压应用中显著降低导通损耗，提升系统效率。

其电气参数设计均衡，在10V驱动电压下，栅极电荷（Qg）仅为22nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用TO-220通孔封装，最大功率耗散能力达130W（Tc），工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了在持续高功率运行及恶劣温度环境下的长期可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动等高压功率转换应用的可靠选择。