STP17NF25

STP17NF25是意法半导体（STMicroelectronics）基于其成熟的STripFET II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-220AB封装，其核心架构针对高电压开关应用进行了优化，通过先进的单元设计和工艺控制，在导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间实现了出色的平衡，从而有效降低了传导损耗和开关损耗，提升了整体能效。

该MOSFET具备250V的漏源击穿电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达17A的连续漏极电流（Id）能力，为设计提供了充裕的电压与电流裕量。其导通电阻在10V驱动电压、8.5A电流条件下典型值仅为165毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通状态功率耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在29.5nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着它能够被快速驱动，实现高效的开关转换，并减轻对栅极驱动电路的压力。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了良好的栅极保护能力。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST一级代理获取正品器件和技术支持。

在接口与参数方面，该器件采用标准的TO-220AB三引脚（漏极、栅极、源极）通孔封装，便于安装和散热。其最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为4V，确保了在噪声环境下的稳定关断。器件支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，并在壳温条件下最大功率耗散可达90W，展现了强大的热性能和环境适应性。这些参数共同构成了其在严苛应用中稳定运行的基础。

得益于其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，STP17NF25非常适用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器、DC-DC转换器以及不间断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够有效提升系统效率、功率密度和可靠性，是工业控制、消费电子和能源管理领域功率级设计的优选器件之一。

• 型号:STP17NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP17NF25的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP17NF25是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET II产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心特性包括250V的漏源电压（Vdss）和17A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至165毫欧，显著降低了导通损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为29.5nC，有利于实现高速开关并降低驱动损耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为90W，确保了在各类环境下的可靠性与鲁棒性。