STP10NK50Z

STP10NK50Z是意法半导体（STMicroelectronics）基于其SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和外延层技术，在单芯片上实现了高耐压与低导通电阻的良好平衡。其核心在于SuperMESH技术，该技术通过特殊的网格状源极金属化布局和增强的沟道掺杂分布，有效降低了单元间距，从而显著减少了特定硅片面积下的导通电阻（R_DS(on)），同时保持了出色的雪崩耐量和开关特性。

该MOSFET具备500V的漏源击穿电压（V_DSS），能够从容应对工业级开关电源中常见的电压应力与浪涌冲击。在25°C壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值为9A，结合125W的最大功率耗散能力，显示出强大的电流处理与散热性能。其导通电阻在10V栅极驱动电压、4.5A漏极电流条件下典型值仅为700毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗，有助于提升系统整体效率。此外，其栅极电荷（Q_g）最大值控制在39.2nC（@10V），配合适中的输入电容（C_iss），有助于实现较快的开关速度并降低驱动电路的负担，栅源电压（V_GS）最大耐受范围为±30V，提供了宽裕且安全的驱动裕量。

器件采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装在散热器上，其宽泛的结温工作范围（-55°C至150°C）确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠供货与技术支持的设计项目，通过官方授权的ST一级代理进行采购是保障供应链稳定与产品正品性的重要途径。凭借其高耐压、低导通损耗和稳健的封装特性，STP10NK50Z非常适用于离线式开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和DC-DC变换器中的主开关管、电子镇流器、电机驱动控制以及UPS（不间断电源）系统等中高功率应用场景，为工程师提供了一款经久耐用的高性能功率开关解决方案。

• 型号:STP10NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1219 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP10NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（V_DSS）和9A的连续漏极电流（I_D）处理能力，结合低至700毫欧的导通电阻（R_DS(on)），有效降低了功率导通损耗。

其技术参数设计兼顾了效率与易驱动性，39.2nC的栅极电荷（Q_g）有助于实现快速开关并简化驱动电路设计。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功率耗散达125W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在工业级功率转换应用中的高可靠性与稳健性。