STP110N7F6

STP110N7F6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET F6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面栅极结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g）之间的出色平衡。其核心设计旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。

该MOSFET具备68V的漏源击穿电压（V_DSS），为其在常见的中等电压应用场景中提供了充足的安全裕量。在壳温（T_C）为25°C的条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达110A，展现出强大的电流处理能力。其导通性能尤为突出，在10V栅源驱动电压（V_GS）和55A漏极电流条件下，典型导通电阻低至6.5mΩ，这直接转化为更低的通态压降和发热量，有助于简化散热设计。同时，其栅极总电荷（Q_g）典型值控制在100nC（@10V），较低的开关电荷有助于实现更快的开关速度和降低驱动电路的损耗，优化高频开关性能。

器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装和散热管理，其最大结温（T_J）可达175°C，工作温度范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠性。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为4V，并支持±20V的栅源电压，提供了稳定的驱动兼容性和抗干扰能力。对于需要可靠供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道获取相关产品信息与服务。

凭借其高电流容量、低导通电阻和稳健的封装，STP110N7F6非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括工业级开关电源（SMPS）的同步整流和初级侧开关、电机驱动与控制系统（如电动工具、无人机电调）、DC-DC转换器以及各类负载开关和电源管理模块。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的高性能与可靠性，使其在诸多现有设备和备件市场中仍具有重要参考价值。

• 型号:STP110N7F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:68 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:176W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP110N7F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F6产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其卓越的功率处理能力与高效的开关特性。

其关键参数包括68V的漏源电压（V_DSS）和高达110A（T_C=25°C）的连续漏极电流。最突出的特性是极低的导通电阻，在10V V_GS和55A I_D条件下，R_DS(on)典型值仅为6.5mΩ，这能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Q_g）典型值为100nC，有助于实现快速开关并减少驱动损耗，优化系统整体效率。