STP11NM80

作为一款采用先进MDmesh技术的高压功率MOSFET，STP11NM80在核心架构上实现了导通电阻与开关损耗的出色平衡。其N沟道设计基于优化的垂直结构，通过降低单元密度和优化电荷分布，显著改善了动态性能。这种架构使得器件在承受高达800V漏源电压的同时，能够有效控制寄生电容，为高效率的能量转换奠定了物理基础。

该器件的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为400毫欧（@5.5A），这意味着在导通状态下具有较低的传导损耗，有助于提升系统整体效率。同时，栅极电荷（Qg）最大值被控制在43.6nC（@10V），较低的栅极电荷直接降低了开关过程中的驱动损耗，使得开关速度更快，特别适合高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±30V，提供了较强的驱动鲁棒性。

在接口与关键参数方面，STP11NM80采用标准的TO-220AB通孔封装，便于安装和散热。其连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达11A，最大功率耗散为150W（Tc），工作结温范围宽达-65°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。输入电容（Ciss）等参数经过优化，与驱动电路能良好匹配。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过正规的ST芯片代理进行采购与咨询。

基于其800V的高耐压和良好的开关特性，该MOSFET非常适用于离线式开关电源（SMPS）的功率因数校正（PFC）电路、硬开关和软开关拓扑的初级侧开关、工业电机驱动与变频器中的逆变桥臂，以及照明领域的电子镇流器和LED驱动电源。在这些应用场景中，它能够帮助设计者实现高功率密度、高可靠性的电源解决方案。

• 型号:STP11NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1630 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP11NM80是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心优势在于其800V的漏源击穿电压（Vdss）与11A的连续漏极电流（Id）能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡：在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值较低，有效减少了导通损耗；同时，优化的栅极电荷（Qg）和电容特性确保了快速的开关速度和较低的开关损耗。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等高效能、高可靠性设计的理想选择。