PD57006STR-E

PD57006STR-E是ST意法半导体推出的一款基于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）工艺的N沟道射频功率场效应晶体管。该器件采用先进的硅基LDMOS架构，专为在945MHz频段附近提供高效率、高线性度的功率放大而优化设计。其结构特点在于实现了高击穿电压与优异射频性能的平衡，内部集成了优化的匹配网络，有助于简化外部电路设计并提升整体系统的稳定性。

该晶体管在28V典型工作电压下，能够提供高达6W的射频输出功率，同时保持约15dB的功率增益，这使其在驱动后级或直接作为末级放大时具备良好的信号提升能力。其静态工作点设置灵活，测试电流为70mA，而器件本身具备1A的连续漏极电流额定值与65V的漏源击穿电压，展现了较强的过载承受能力与工作余量。其封装采用PowerSO-10RF形式，底部带有裸露焊盘，这种设计极大地优化了散热路径，对于需要处理数瓦级射频功率的应用而言，是实现可靠热管理的关键。

在接口与参数层面，PD57006STR-E主要面向固定或窄带射频放大场景。其核心参数围绕945MHz中心频率展开，工程师在设计匹配电路时需重点关注此频点附近的性能。虽然噪声系数参数未在标准规格中明确列出，这通常意味着该器件更侧重于功率处理能力而非低噪声接收前端应用。其高增益与功率输出特性，结合坚固的封装，使其能够适应具有一定挑战性的环境。

该器件典型的应用场景包括专业移动无线电（PMR）、专用无线通信系统、以及工作在900MHz频段附近的各类射频功放单元。它非常适合用作基站或中继设备中的驱动级或末级功率放大器。对于需要采购此类高性能射频分立器件的用户，通过正规的ST一级代理渠道是确保获得原装正品和可靠技术支持的重要途径。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在新项目设计时应考虑选用ST推荐的替代型号，并在现有系统维护中做好库存管理。

• 型号:PD57006STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:15dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:1A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:70 mA
• 功率 - 输出:6W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 想获取PD57006STR-E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

PD57006STR-E是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS射频功率场效应晶体管，采用PowerSO-10RF封装。该器件针对945MHz附近的射频功率放大应用进行了优化，在28V工作电压下可提供6W的输出功率和15dB的功率增益，具备良好的信号驱动能力。

其额定漏极电流为1A，漏源击穿电压高达65V，确保了在射频功率输出工况下的工作余量和可靠性。封装底部的裸露焊盘设计有效提升了散热性能，适用于对热管理有要求的射频功放模块。该晶体管主要面向专业无线通信设备等需要中等功率射频放大的场景。