STP13NK60ZFP

STP13NK60ZFP是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在降低传导损耗和开关损耗，这对于提升开关电源等应用的效率至关重要。该芯片集成于TO-220FP封装内，这种封装在提供良好散热性能的同时，其全塑封结构也增强了电气绝缘性和系统安全性。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其600V的漏源击穿电压（Vdss）提供了宽裕的电压裕量，使其能够稳定工作在诸如离线式反激变换器等高压输入环境中。在25°C壳温条件下，器件可连续通过高达13A的漏极电流。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、4.5A漏极电流条件下典型值仅为550毫欧，较低的导通电阻直接转化为更低的通态损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在92nC（@10V），较低的栅极电荷有助于降低驱动电路的损耗，并允许使用更简单的栅极驱动设计，从而加快开关速度。

在接口与参数方面，STP13NK60ZFP的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，属于标准逻辑电平驱动，兼容常见的控制器输出。其栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。输入电容（Ciss）为2030pF，结合其Qg值，共同决定了开关动态特性。器件的最大功耗为35W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。用户可通过ST授权代理获取完整的数据手册、应用支持以及可靠的供货渠道。

凭借高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，STP13NK60ZFP非常适用于需要高效功率转换和控制的场合。其主要应用场景包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与控制的逆变桥臂、以及照明镇流器和适配器等。在这些应用中，它能够有效提升系统能效，减少热量产生，并有助于实现更紧凑的电源设计。

• 型号:STP13NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:92 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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STP13NK60ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的导通特性上，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为550毫欧，同时栅极电荷（Qg）被控制在92nC。这一组合显著降低了功率损耗，提升了开关效率。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和35W的功率耗散能力，确保了其在各类电源转换和电机控制应用中的高可靠性与稳定性。