STP13NM60ND

STP13NM60ND是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的FDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心在于通过精细的单元设计和工艺控制，有效降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的坚固性与可靠性，为功率转换系统的效率提升奠定了物理基础。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。高达600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力和开关尖峰。在导通特性方面，其最大导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、5.5A漏极电流条件下仅为380毫欧，这意味着在导通期间产生的传导损耗极低，有助于提升系统整体能效。此外，其栅极电荷（Qg）典型值较低，约为24.5nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，从而允许使用更小体积的磁性元件。

在接口与参数层面，STP13NM60ND采用经典的TO-220通孔封装，具有良好的机械强度和散热能力，其最大结温（Tj）可达150°C。器件在壳温（Tc）25°C下的连续漏极电流（Id）额定值为11A，最大功耗为109W，展现了强大的电流处理与功率耗散能力。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±25V，提供了充足的驱动安全裕度。用户可以通过官方授权的ST代理获取完整的数据手册、应用笔记以及可靠的原厂供货支持。

凭借其高耐压、低导通损耗和快速开关能力，STP13NM60ND非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）级和主开关、照明系统的电子镇流器、工业电机驱动与逆变器、以及不同断电源（UPS）系统。在这些应用中，它能够有效提升功率密度，降低系统温升，是实现紧凑、高效电力电子设计的优选功率开关器件之一。

• 型号:STP13NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:845 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:109W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 想获取STP13NM60ND的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

STP13NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和11A（Tc）的连续漏极电流，为高压大电流开关应用提供了坚实的基础。

其技术优势主要体现在优异的导通与开关性能上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为380毫欧，能显著降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有利于实现快速开关，减少开关损耗，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换等应用的理想选择。