STP14N80K5

作为ST意法半导体MDmesh K5系列中的一员，STP14N80K5是一款采用先进超结（Super-Junction）技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心架构通过创新的单元布局和电荷平衡技术，显著降低了单位面积的导通损耗，同时确保了在高压开关应用中的快速开关性能和坚固性。

该MOSFET具备多项突出的功能特性。其800V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力和浪涌，提供宽裕的安全裕量。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至445毫欧（@6A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，22nC（@10V）的低栅极电荷（Qg）与620pF（@100V）的输入电容（Ciss）相结合，意味着开关过程中的驱动损耗更低，开关速度更快，有利于提升高频开关电源的工作频率和功率密度。

该器件采用标准的TO-220通孔封装，便于安装和散热管理，其结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的环境要求。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值为12A，最大功耗为130W，展现了强大的电流处理与功率耗散能力。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为10V，且栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，增强了应用的鲁棒性。对于需要可靠元器件供应链的客户，可以通过官方授权的ST代理渠道进行采购，以确保产品的正宗与供货稳定。

凭借其高压、低损耗和快速开关的优异组合，STP14N80K5非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换应用场景。它是开关模式电源（SMPS）中功率因数校正（PFC）级和主逆变桥臂的理想选择，尤其适用于服务器电源、工业电源、照明镇流器以及电机驱动等中高功率领域。其稳健的性能有助于工程师设计出更紧凑、更高效且热管理更优的下一代电源解决方案。

• 型号:STP14N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 12A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:445 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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STP14N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）与低至445毫欧（@6A, 10V）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，为高压应用提供了优异的效率基础。

同时，其22nC的低栅极电荷（Qg）和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ），确保了快速开关性能和高温环境下的可靠运行。这些特性使其成为工业级开关电源、功率因数校正（PFC）电路以及电机控制等中高功率应用的理想功率开关解决方案。